Marca | Ixys Corporation |
Producto | IXTT16N20D2 |
Descripción | MOSFET D2 MOSFET de potencia en modo de agotamiento |
Código interno | 3900896 |
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Características principales de IXTT16N20D2 :
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Aviso Importante: Aunque suministramos productos de Ixys Corporation, Merales SL no es un distribuidor autorizado. Todos los derechos están reservados por los fabricantes y sus socios oficiales.
DIODO
diode
DIODE
diodo
diodo schottky
diodo
ID NO 765040 V1...V3 80 A/1200 V
módulo de tiristor
MOQ = 20
Sola irrupción de diodos
Diodo de ruptura
MOQ = 20
MOQ=20
(MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B IXYS)
GigaMOSTM MOSFET
Módulo de semiconductores discretos
transistor
V1 (Kit de módulo tiristor 400A/600V)
thyristor module
Módulo de tiristor
Módulos semiconductores discretos de 255 amperios y 1400 V
Módulo tiristor