| Marca | Semikron |
| Producto | SEMiX453GB12E4lp |
| Código interno | IMP5029255 |
| Especificación técnica | Tipo de componente: IGBT Categoría: IGBT: Full Silicon Configuración: Half Bridge 1* (pata de fase) Construcción: 2* (IGBT+D) Número de circuitos (en el paquete): 2 ks Tipo de chasis: módulo Estuche [pulgadas]: SemiX-3p Tipo de material: Si-Silicio RoHS: Sí REACH: No NOVINKA N RoHS 1 Año IFAV/IC (Tc/Ta=25 °C) 678 [A] IDC máx. (Tc/Ta=80—89 °C) 521 [A] Uisol (@25 °C/1 min/50 Hz) 2500 [V] ¿UF (tensión directa máxima) 2.14 [VDC]? UCE (sat) (@25 °C) 1.8 [V] tr (tiempo de encendido/subida) 67 [ns] tf/tq (tiempo de apagado/caída) 110 [ns] Qg (carga total de entrada) 2550 [nC] Cin (capacitancia de entrada) 27900 [pF] Dimensiones (largo x ancho x alto) [mm]: 150 x 62 x 21 Tmin (temperatura mínima de trabajo) -40 [°C] Tmax (temperatura máxima de trabajo) 150 [°C] Rth-c (resistencia al calor) 0.021 [°C/W]? L - longitud 150 [mm] W - ancho 62 [mm] H - altura 21 [mm] |
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