Marca | Ixys Corporation |
Producto | IXFN170N30P |
Descripción | Módulo semiconductor discreto |
Código interno | 4919954 |
Especificación técnica | 138 amperios 300 V 0.018 Rds |
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Características principales de IXFN170N30P :
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Aviso Importante: Aunque suministramos productos de Ixys Corporation, Merales SL no es un distribuidor autorizado. Todos los derechos están reservados por los fabricantes y sus socios oficiales.
(Littelfuse-IXYS, Tiristor Módulo
DIODE-BRIDGE, 1PH, 1600V, 40A,
RECT-3 fase puente, 25A, 1800V
MOSFET de canal N
Módulos semiconductores discretos
MOSFET de potencia MOSFET TrenchP
MOSFET N-CH 75V 80A TO-263
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
Thrystor / Módulo
BEBIDA